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IGBT的等效电【路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而※使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射＠ 极之间电压为0V,则MOSFE

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[中介]第6代CSTBTTM硅片技术祀娘带来：杰出的短路鲁棒性 - 降低ㄨ了栅极电容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的紧凑型封装良好的匹配液体冷却多孔型端子使得接触阻♂抗更低，实现更可靠的长期电气连接端子孔径与安装定位孔径一

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